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NVTFS6H888NLTAG

Name: onsemi NVTFS6H888NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS6H888NLTAG
Price: 4.28 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVTFS6H888NLTAG

Fabricante N.º:

NVTFS6H888NLTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

Hoja de datos:

NVTFS6H888NLTAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/4.28	S/4.28
	S/2.57	S/25.70
	S/1.68	S/168.00
	S/1.30	S/650.00
	S/1.11	S/1,110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.09	S/1,635.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	23 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVTFS6H888NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVTFS6H888NLTAG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NVMFS6H824NLT1G & NVTFS6H888NLTAG Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H824NLT1G and NVTFS6H888NLTAG MOSFETs Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and come in a small footprint flat lead DFN5 package for compact designs. These onsemi devices offer low Q_G and capacitance to minimize driver losses and low R_DS(on) to reduce conduction losses. Wettable flank options (NVMFS6H824NLWF and NVTFS6H888NLWF in a WDFN8 package) provide enhanced optical inspection. Typical applications include switching power supplies, motor control, power switches (high-/low-side drivers and H-bridges), 48V systems, DC/DC converters, and load switches.