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NVMFS6H864NLT1G

Name: onsemi NVMFS6H864NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H864NLT1G
Price: 4.13 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS6H864NLT1G

Fabricante N.º:

NVMFS6H864NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

Hoja de datos:

NVMFS6H864NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/4.13	S/4.13
	S/2.89	S/28.90
	S/2.74	S/68.50
	S/2.32	S/232.00
	S/1.87	S/935.00
	S/1.83	S/1,830.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.58	S/2,370.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	29 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMFS6H864NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVMFS6H864NLT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ R_DS(on)resistance ranges. Features include low R_DS(on) to minimize conduction losses, low Q_G, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).