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NVH4L016N065M3S

Name: onsemi NVH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L016N065M3S
Price: 62.67 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVH4L016N065M3S

Fabricante N.º:

NVH4L016N065M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	71 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	100 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	45 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	NVH4L016N065M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.5 ns

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Hoja de datos

NVH4L016N065M3S Hoja de datos

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).