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NTTFSSH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSH1D3N04XL
Price: 10.82 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFSSH1D3N04XL

Fabricante N.º:

NTTFSSH1D3N04XL

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

Ciclo de vida:

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NTTFSSH1D3N04XL Hoja de datos

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	S/10.82	S/10.82
	S/7.01	S/70.10
	S/5.02	S/502.00
	S/4.20	S/2,100.00
	S/3.87	S/3,870.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/3.29	S/9,870.00
	S/3.28	S/29,520.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	207 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	107 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	123 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	NTTFSSH1D3N04XL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	43 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns

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NTTFSSH1D3N04XL Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.