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NTTFSSCH0D7N02X

Name: onsemi NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH0D7N02X
Price: 10 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFSSCH0D7N02X

Fabricante N.º:

NTTFSSCH0D7N02X

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Ciclo de vida:

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	S/10.00	S/10.00
	S/6.46	S/64.60
	S/4.63	S/463.00
	S/3.85	S/1,925.00
	S/3.67	S/3,670.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/3.11	S/15,550.00
	S/3.03	S/30,300.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	310 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	580 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	87 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	57 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	190 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	NTTFSSCH0D7N02X
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns

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NTTFSSCH0D7N02X Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.