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NTMTS4D3N15MC

Name: onsemi NTMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS4D3N15MC
Price: 29.47 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMTS4D3N15MC

Fabricante N.º:

NTMTS4D3N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm, PQFN 8x8

Hoja de datos:

NTMTS4D3N15MC Hoja de datos

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	S/29.47	S/29.47
	S/19.35	S/193.50
	S/16.47	S/1,647.00
	S/16.27	S/8,135.00
	S/15.22	S/15,220.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/13.55	S/40,650.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	174 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	293 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	177 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	NTMTS4D3N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	48 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	38 ns

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Hoja de datos

NTMTS4D3N15MC Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.