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NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 19.93 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS7D5N15MC

Fabricante N.º:

NTMFS7D5N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

Hoja de datos:

NTMFS7D5N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/19.93	S/19.93
	S/13.78	S/137.80
	S/9.85	S/985.00
	S/9.46	S/4,730.00
	S/9.19	S/9,190.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/7.71	S/23,130.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	95.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	166.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	91 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	NTMFS7D5N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns

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Hoja de datos

NTMFS7D5N15MC Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

NTMFS7D5N15MC Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a best-in-class soft-body diode. The onsemi NTMFS7D5N15MC lowers switching noise, EMI, capacitance (to minimize driver losses), and R_DS(on) (to minimize conduction losses).