Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTMFS2D3N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS2D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS2D3N04XMT1G
Price: 6.15 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTMFS2D3N04XMT1G

Fabricante N.º:

NTMFS2D3N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS2D3N04XMT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTMFS2D3N04XMT1G

En existencias: 5,932

Existencias:: 5,932 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6.15	S/6.15
	S/3.93	S/39.30
	S/2.60	S/260.00
	S/2.13	S/1,065.00
	S/1.86	S/1,860.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.71	S/2,565.00
	S/1.58	S/4,740.00
	S/1.54	S/36,960.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	111 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	22.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	53 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.69 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	89.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.19 ns
Serie:	NTMFS2D3N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15.8 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTMFS2D3N04XMT1G Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.