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NTMFS0D6N03CT1G

Name: onsemi NTMFS0D6N03CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D6N03CT1G
Price: 11.13 PEN
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-NTMFS0D6N03CT1G

Fabricante N.º:

NTMFS0D6N03CT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

Hoja de datos:

NTMFS0D6N03CT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/4.98	S/498.00
	S/4.13	S/2,065.00
	S/3.93	S/3,930.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/3.54	S/5,310.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	433 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	620 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS0D6N03C
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTMFS0D6N03CT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.