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NTMFS0D5N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D5N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D5N04XLT1G
Price: 16.23 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS0D5N04XLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS0D5N04XLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS0D5N04XLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/10.70	S/107.00
	S/7.55	S/755.00
	S/6.85	S/3,425.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/5.57	S/8,355.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	455 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	490 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	127 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	24 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	277 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	NTMFS0D5N04XL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	55 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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NTMFS0D5N04XLT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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