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NTD280N60S5Z

Name: onsemi NTD280N60S5Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD280N60S5Z
Price: 12.22 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTD280N60S5Z

Fabricante N.º:

NTD280N60S5Z

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V EASY ZENER 280MO

Ciclo de vida:

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	S/12.22	S/12.22
	S/7.98	S/79.80
	S/5.53	S/553.00
	S/4.67	S/2,335.00
	S/4.48	S/4,480.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/4.36	S/10,900.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	17.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 170 C
Dp - Disipación de potencia :	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4.53 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.27 ns
Serie:	NTD280N60S5Z
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15.5 ns

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NTD280N60S5Z Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET^® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (R_DS(ON)·Q_G and R_DS(ON)·E_OSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dV_DS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.