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NTBGS4D1N15MC

Name: onsemi NTBGS4D1N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBGS4D1N15MC
Price: 20.94 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBGS4D1N15MC

Fabricante N.º:

NTBGS4D1N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

Hoja de datos:

NTBGS4D1N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/20.94	S/20.94
	S/14.79	S/147.90
	S/12.77	S/1,277.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	S/12.38	S/9,904.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	185 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	88.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	316 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10.9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	38 ns
Serie:	NTBGS4D1N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	64 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	49 ns
Peso de la unidad:	4.675 g

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Hoja de datos

NTBGS4D1N15MC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs

onsemi NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs feature 150V drain-to-source voltage (V_(BR)DSS) and low switching noises/EMI. These devices offer low Q_G and capacitance to minimize driver losses and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC MOSFETs are available in a Pb-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant D²PAK7 package. Typical applications include power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, home automation, industrial forklifts, and traction control systems.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.