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NSVMUN5213DW1T3G

Name: onsemi NSVMUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN5213DW1T3G
Price: 1.05 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSVMUN5213DW1T3G

Fabricante N.º:

NSVMUN5213DW1T3G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores digitales SS SC88 BR XSTR NPN 50V

Hoja de datos:

NSVMUN5213DW1T3G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.05	S/1.05
	S/0.642	S/6.42
	S/0.401	S/40.10
	S/0.296	S/148.00
	S/0.234	S/234.00
	S/0.202	S/1,010.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	S/0.163	S/1,630.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores digitales
RoHS:
Configuración:	Dual
Polaridad del transistor:	NPN
Resistor de entrada típico:	47 kOhms
Proporción de resistor típica:	1
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	50 V
Corriente continua del colector:	100 mA
Dp - Disipación de potencia :	250 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MUN5213DW1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Rango de temperatura de trabajo:	- 55 C to + 150 C
Tipo de producto:	Digital Transistors
Calificación:	AEC-Q101
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6.200 mg

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Hoja de datos

NSVMUN5213DW1T3G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.