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NSVBC144EDXV6T1G

Name: onsemi NSVBC144EDXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVBC144EDXV6T1G
Price: 1.44 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSVBC144EDXV6T1G

Fabricante N.º:

NSVBC144EDXV6T1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores digitales SS SOT563 RSTR XSTR TR

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NSVBC144EDXV6T1G Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/1.44	S/1.44
	S/0.887	S/8.87
	S/0.557	S/55.70
	S/0.416	S/208.00
	S/0.366	S/366.00
	S/0.323	S/646.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	S/0.276	S/1,104.00
	S/0.234	S/1,872.00
	S/0.226	S/5,424.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores digitales
RoHS:
Configuración:	Dual
Polaridad del transistor:	NPN
Resistor de entrada típico:	4.7 kOhms
Proporción de resistor típica:	1.0
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-563
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	50 VDC
Corriente continua del colector:	100 mA
Dp - Disipación de potencia :	357 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSBC144EDXV6
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Modo canal:	Enhancement
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente CC máxima de colector:	100 mA
Rango de temperatura de trabajo:	- 55 C to + 150 C
Voltaje de salida:	4.9 V
Tipo de producto:	Digital Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors

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NSVBC144EDXV6T1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.