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NSF040120L3A0Q

Name: Nexperia NSF040120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF040120L3A0
Price: 59.05 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-NSF040120L3A0

Fabricante N.º:

NSF040120L3A0Q

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 66A N-CH SIC

Hoja de datos:

NSF040120L3A0Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/59.05	S/59.05
	S/46.59	S/465.90
	S/28.42	S/14,494.20
	S/27.09	S/27,631.80
2,520	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	66 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.9 V
Qg - Carga de puerta:	84 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	319 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	57 ns
Alias de las piezas n.º:	934665927127

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Hoja de datos

NSF040120L3A0Q Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in 3-pin TO-247-3 and 4-pin TO-247-4 for through-hole PCB mounting. The Nexperia MOSFETs are ideal for high-power and high-voltage industrial applications thanks to excellent temperature stability and fast switching speed. These applications include E-vehicle charging infrastructures, photovoltaic inverters, and motor drives.