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MURTA40060R

Name: Navitas Semiconductor MURTA40060R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-MURTA40060R
Price: 547.32 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

905-MURTA40060R

Fabricante N.º:

MURTA40060R

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Módulos de Diodos 600V 400A Si Super Fast Recovery

Hoja de datos:

MURTA40060R Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos de Diodos
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Three Tower Iso
Vr - Tensión inversa:	600 V
If - Corriente directa:	400 A
Tipo:	Super Fast Recovery
Configuración:	Dual-Common Anode
Vf - Tensión directa:	1.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Tipo de producto:	Diode Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	24
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tecnología:	Si

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.