MT46V32M16P-5B:J

Micron
340-122552-TRAY
MT46V32M16P-5B:J

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 5400
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/26.90 S/26.90
S/25.03 S/250.30
S/24.29 S/607.25
S/23.71 S/1,185.50
S/23.16 S/2,316.00
S/22.42 S/5,605.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Micron Technology
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-66
32 M x 16
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
Marca: Micron
País de ensamblaje: TW
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1080
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 85 mA
Peso de la unidad: 8.396 g
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Atributos seleccionados: 0

                        
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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR SDRAM

La tecnología revolucionaria e innovadora DDR SDRAM de Micron permite que las aplicaciones transfieran datos en los extremos de subida y caída de la señal de reloj. Esto duplica el ancho de banda y mejora el rendimiento en SDR SDRAM. Para lograr esta funcionalidad, Micron utiliza una arquitectura 2n-prefetch en la que el bus de datos internos duplica el tamaño del bus de datos externos; así, la captura de datos puede ocurrir dos veces por cada ciclo de reloj.