Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MSCSM120DHM31CTBL2NG

Name: Microchip MSCSM120DHM31CTBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DHM31CTBL2NG
Price: 528.21 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

579-M120DHM31CTBL2NG

Fabricante N.º:

MSCSM120DHM31CTBL2NG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

Hoja de datos:

MSCSM120DHM31CTBL2NG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Microchip Technology MSCSM120DHM31CTBL2NG

En existencias: 4

Existencias:: 4 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 4 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/528.21	S/528.21

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Asymmetrical Bridge
Tiempo de caída:	25 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	79 A
Dp - Disipación de potencia :	310 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSCSM120DHM31CTBL2NG Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si₃N₄ substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (V_R), -10V to 25V gate-source voltage range (V_GS), 310W/560W power dissipation (P_D), and 79A/150A continuous drain current (I_D). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.