MSC080SMB120B4N

Microchip Technology
579-MSC080SMB120B4N
MSC080SMB120B4N

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
30 A
107 mOhms
- 10 V, + 21 V
5 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
161 W
Enhancement
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8 ns
Empaquetado: Tube
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 17 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.

En existencias: 71

Existencias:
71 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/24.44 S/24.44
S/22.54 S/225.40
S/19.62 S/2,354.40

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