Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MRFE6VP5600HR5

Name: NXP MRFE6VP5600HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP5600HR5
Price: 3277.21 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

841-MRFE6VP5600HR5

Fabricante N.º:

MRFE6VP5600HR5

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos:

MRFE6VP5600HR5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR5

En existencias: 50

Existencias:: 50 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/3,277.21	S/3,277.21
	S/2,728.53	S/27,285.30
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	S/2,728.53	S/136,426.50

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	130 V
Frecuencia de trabajo:	1.8 MHz to 600 MHz
Ganancia:	25 dB
Potencia de salida:	600 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI-1230
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Dp - Disipación de potencia :	1.667 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP5600H
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Alias de las piezas n.º:	935310538178
Peso de la unidad:	13.155 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MRFE6VP5600HR5 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.