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MR4A16BCMA35

Name: Everspin Technologies MR4A16BCMA35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A16BCMA35
Price: 244.33 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

936-MR4A16BCMA35

Fabricante N.º:

MR4A16BCMA35

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos:

MR4A16BCMA35 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/244.33	S/244.33
	S/225.65	S/2,256.50
	S/218.29	S/5,457.25
	S/212.84	S/10,642.00
2,640	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	BGA-48
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	16 Mbit
Organización:	1 M x 16
Ancho de bus de datos:	16 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	60 mA, 152 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	MR4A16B
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x16)
Peso de la unidad:	3.768 g

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.