Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

MR2A08AMYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AMYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AMYS35
Price: 204.2 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

936-MR2A08AMYS35

Fabricante N.º:

MR2A08AMYS35

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos:

MR2A08AMYS35 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Everspin Technologies MR2A08AMYS35

En existencias: 316

Existencias:: 316 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/204.20	S/204.20
	S/188.71	S/1,887.10
	S/183.34	S/4,583.50
540	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-44
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	30 mA, 90 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MR2A08A
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x8)

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MR2A08AMYS35 Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.