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MR20H40CDF

Name: Everspin Technologies MR20H40CDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR20H40CDF
Price: 111.95 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

936-MR20H40CDF

Fabricante N.º:

MR20H40CDF

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Hoja de datos:

MR20H40CDF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/111.95	S/111.95
	S/103.62	S/1,036.20
	S/100.35	S/2,508.75
	S/97.86	S/4,893.00
	S/95.44	S/9,544.00
	S/92.25	S/23,062.50
570	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Tipo de interfaz:	SPI
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	13.8 mA, 33 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	MR20H40
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	570
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Serial I/O (SPI)
Peso de la unidad:	37.400 mg

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 854232031
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.