Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

MAPC-A3010-AB000

Name: MACOM MAPC-A3010-AB000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3010-AB000
Price: 2961.8 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

937-MAPC-A3010-AB000

Fabricante N.º:

MAPC-A3010-AB000

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

MAPC-A3010-AB000 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre MACOM MAPC-A3010-AB000

Alerta de envío:

Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.

En existencias: 25

Existencias:: 25 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/2,961.80	S/2,961.80
	S/2,603.93	S/26,039.30

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	440223
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	84 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 65 C
Marca:	MACOM
Configuración:	1 Channel
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	18 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	DC
Potencia de salida:	50.9 dBm
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo:	GaN on SiC Transistor

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MAPC-A3010-AB000 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.