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LF2113BTR

Name: IXYS LF2113BTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2113BTR
Price: 10.04 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-LF2113BTR

Fabricante N.º:

LF2113BTR

Fabricante:

IXYS Integrated Circuits

Descripción:

Controladores de puertas HI LO Side DRVR 600V 2A SOIC-16

Hoja de datos:

LF2113BTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/10.04	S/10.04
	S/7.51	S/75.10
	S/6.85	S/171.25
	S/6.15	S/615.00
	S/5.80	S/1,450.00
	S/5.61	S/2,805.00
	S/4.98	S/4,980.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/4.75	S/7,125.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	15 ns
Tiempo de caída:	13 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	IXYS Integrated Circuits
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retardo de apagado máximo:	94 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	105 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	56 uA
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.

High-Side & Low-Side Gate Driver ICs

IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs offer 600mA/290mA to 4.5A/4.5A sink/source output current capabilities. The devices feature a wide operating voltage range of 10V to 20V. Protections include undervoltage lockout (UVLO) and shoot-through. IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs operate in a -40°C to +125°C temperature range and are available in SOIC-8, -14, -16 industry-standard packages and pin-outs.