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IXTF02N450

Name: IXYS IXTF02N450
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTF02N450
Price: 175.86 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTF02N450

Fabricante N.º:

IXTF02N450

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET

Hoja de datos:

IXTF02N450 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/137.21	S/1,372.10
	S/130.40	S/13,040.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	4.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	200 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	625 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	10.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	78 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	143 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	90 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	48 ns
Serie:	IXTF02N450
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	6.500 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.