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IXSA110N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA110N65L2-7TR
Price: 43.28 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXSA110N65L2-7TR

Fabricante N.º:

IXSA110N65L2-7TR

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

IXSA110N65L2-7TR Hoja de datos (PDF)

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/43.28	S/43.28
	S/33.05	S/330.50
	S/27.56	S/2,756.00
	S/24.06	S/12,030.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	S/20.05	S/16,040.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	111 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	125 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	600 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11.5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	23.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35.1 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).