ISC104N12LM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC104N12LM6ATMA
ISC104N12LM6ATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
63 A
10.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 30 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 14 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns
Alias de las piezas n.º: ISC104N12LM6 SP005586043
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Alemania
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.

En existencias: 16,696

Existencias:
16,696 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/10.12 S/10.12
S/4.98 S/49.80
S/4.48 S/448.00
S/3.57 S/1,785.00
S/3.48 S/3,480.00
S/3.23 S/8,075.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
S/2.88 S/14,400.00
S/2.84 S/28,400.00
25,000 Presupuesto

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