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IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Name: ISSI IS66WVQ16M4FBLL-200BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VQ16M4DBLL200BLI
Price: 17.4 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-VQ16M4DBLL200BLI

Fabricante N.º:

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	TFBGA-24
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Marca:	ISSI
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	480
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.