IS42S32200N-6TL

ISSI
870-IS42S32200N-6TL
IS42S32200N-6TL

Fabricante:

Descripción:
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS

Ciclo de vida:
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En existencias: 156

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En pedido:
108
Se espera el 21/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
14
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 58
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Precio ext.:
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/13.55 S/13.55
S/12.65 S/126.50
S/12.26 S/306.50
S/11.99 S/599.50

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 70 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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