IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
726-IQEH68NE2LM7UCGA
IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 3,992
-
Existencias:
-
3,992 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/10.74 | S/10.74 | |
| S/6.93 | S/69.30 | |
| S/4.94 | S/494.00 | |
| S/4.13 | S/2,065.00 | |
| S/3.57 | S/3,570.00 | |
| S/3.39 | S/8,475.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/3.15 | S/15,750.00 | |
Hoja de datos
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
