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IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 8.56 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IPI086N10N3G

Fabricante N.º:

IPI086N10N3 G

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Hoja de datos:

IPI086N10N3 G Hoja de datos (PDF)

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	S/8.56	S/8.56
	S/4.16	S/41.60
	S/3.73	S/373.00
	S/2.98	S/1,490.00
	S/2.78	S/2,780.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-262-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	42 ns
Serie:	OptiMOS 3
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	31 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Alias de las piezas n.º:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Peso de la unidad:	2.387 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.