IPD048N06L3GATMA1
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- Malasia
- País de origen del ensamblaje:
- Malasia
- País de difusión:
- Malasia
En existencias: 2,683
-
Existencias:
-
2,683 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| S/9.61 | S/9.61 | |
| S/4.67 | S/46.70 | |
| S/4.20 | S/420.00 | |
| S/3.35 | S/1,675.00 | |
| S/3.25 | S/3,250.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| S/2.88 | S/7,200.00 | |
Perú
