Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 15.18 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IKW30N65ET7XKSA1

Fabricante N.º:

IKW30N65ET7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Hoja de datos:

IKW30N65ET7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1

En existencias: 1,511

Existencias:: 1,511 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/15.18	S/15.18
	S/8.33	S/83.30
	S/6.81	S/681.00
	S/5.84	S/2,803.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.35 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKW30N65ET7 SP005348289

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IKW30N65ET7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low V_CEsat.