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IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 14.36 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKW20N60T

Fabricante N.º:

IKW20N60T

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Hoja de datos:

IKW20N60T Hoja de datos (PDF)

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	S/14.36	S/14.36
	S/9.34	S/93.40
	S/7.32	S/732.00
	S/6.11	S/2,932.80
	S/5.25	S/6,300.00
	S/4.98	S/13,147.20

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IKW20N60TFKSA1

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

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Infineon Technologies

Fabricante N.º:

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Descripción:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	41 A
Dp - Disipación de potencia :	166 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT3
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
Peso de la unidad:	38 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.