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IKW15N120BH6XKSA1

Name: Infineon IKW15N120BH6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW15N120BH6XKSA
Price: 13.16 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKW15N120BH6XKSA

Fabricante N.º:

IKW15N120BH6XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs INDUSTRY

Hoja de datos:

IKW15N120BH6XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/13.16	S/13.16
	S/8.52	S/85.20
	S/6.50	S/650.00
	S/4.79	S/2,299.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.9 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	30 A
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	TRENCHSTOP IGBT6
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Máx. corriente continua Ic del colector:	30 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Corriente de fuga puerta-emisor:	600 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKW15N120BH6 SP001666618
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 are designed to meet requirements of high efficiency, lower conduction losses, and switching losses. These TRENCHSTOP IGBT6 feature low gate charge, low Electromagnetic Interference (EMI), easy paralleling capability, high efficiency in hard switching, and resonant topologies. The TRENCHSTOP IGBT6 is released in 2 product families, low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series. These IGBT6 are plug-and-play replacements of predecessor HighSpeed3 H3 IGBT. The TRENCHSTOP IGBT6 implement the trench and fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode. These 1200V TRENCHSTOP IGBT6 achieve easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in V_CEsat. Typical applications include industrial UPS, energy storage, three-level solar string inverter, and welding.