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IKP10N60T

Name: Infineon IKP10N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKP10N60T
Price: 7.47 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKP10N60T

Fabricante N.º:

IKP10N60T

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

IKP10N60T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/7.47	S/7.47
	S/4.75	S/47.50
	S/3.32	S/332.00
	S/2.81	S/1,405.00
	S/2.35	S/2,350.00
	S/2.16	S/5,400.00
	S/2.05	S/10,250.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	24 A
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	TRENCHSTOP IGBT
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	SP000683062 IKP1N6TXK IKP10N60TXKSA1
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.