IGI65D1414A3MSXUMA1
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726-IGI65D1414A3MSXU
IGI65D1414A3MSXUMA1
Fabricante:
Descripción:
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 2,392
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/27.60 | S/27.60 | |
| S/18.65 | S/186.50 | |
| S/13.90 | S/1,390.00 | |
| S/12.57 | S/12,570.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000) | ||
| S/11.37 | S/34,110.00 | |
Hoja de datos
- USHTS:
- 8542390090
- MXHTS:
- 8542399999
- ECCN:
- EAR99
