IDW40G65C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDW40G65C5XKSA1
IDW40G65C5XKSA1

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
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S/38.61 S/386.10
S/32.19 S/3,219.00
S/28.69 S/13,771.20
S/24.33 S/29,196.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Single
40 A
650 V
1.5 V
182 A
2.2 uA
- 55 C
+ 175 C
XDW40G65
Tube
Marca: Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia : 183 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: CoolSiC
Vr - Tensión inversa: 650 V
Alias de las piezas n.º: IDW40G65C5 SP001632890
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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