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IDW40G65C5BXKSA2

Name: Infineon IDW40G65C5BXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDW40G65C5BXKSA2
Price: 53.37 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IDW40G65C5BXKSA2

Fabricante N.º:

IDW40G65C5BXKSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

Hoja de datos:

IDW40G65C5BXKSA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/53.37	S/53.37
	S/38.11	S/381.10
	S/32.70	S/3,270.00
	S/26.31	S/12,628.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	40 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	182 A
Ir - Corriente inversa:	2.2 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	XDW40G65
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia :	183 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	CoolSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	IDW40G65C5B SP001633192
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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