IAUZN10S7N078ATMA1

Infineon Technologies
726-IAUZN10S7N078ATM
IAUZN10S7N078ATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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S/-.--
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/8.72 S/8.72
S/5.57 S/55.70
S/3.86 S/386.00
S/3.27 S/1,635.00
S/2.73 S/2,730.00
S/2.52 S/6,300.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
S/2.28 S/11,400.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
76 A
7.8 mOhms
20 V
3.2 V
22.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3.6 ns
Serie: OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 4.7 ns
Alias de las piezas n.º: IAUZN10S7N078 SP006030405
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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