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GS66516T-MR

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Mouser N.º:

499-GS66516T-MR

Fabricante N.º:

GS66516T-MR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

GS66516T-MR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	GaNpx
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	14.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	GS665MB-EVB, GS66516T-EVBDB2
Tiempo de caída:	22 ns
Frecuencia de trabajo máxima:	10 MHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	12.4 ns
Serie:	GS665xx
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-Si
Tipo de transistor:	E-Mode
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.6 ns
Alias de las piezas n.º:	GS66516T-E02-MR

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EOL

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.