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GS66516B-MR

Name: Infineon GS66516B-MR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66516B-MR
Price: 147.21 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

499-GS66516B-MR

Fabricante N.º:

GS66516B-MR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

GS66516B-MR Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/147.21	S/147.21
	S/127.91	S/1,279.10
	S/111.91	S/11,191.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/111.91	S/27,977.50
500	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

GS-065-060-3-B-MR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/128.76

Mín.:

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Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

GS-065-060-3-B-MR

Descripción:

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

Ciclo de vida:

Fin de vida útil: Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	GaNpx
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	14.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	GSP65RXXHB-EVB, GSP665x-EVBIMS2
Tiempo de caída:	22 ns
Frecuencia de trabajo máxima:	10 MHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	12.4 ns
Serie:	GS665xx
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-Si
Tipo de transistor:	E-Mode
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.6 ns
Alias de las piezas n.º:	GS66516B-E01-MR

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EOL

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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