GS66504B-MR

499-GS66504B-MR
GS66504B-MR

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/56.95 S/56.95
S/42.51 S/425.10
S/36.75 S/3,675.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
S/36.75 S/9,187.50
S/34.80 S/17,400.00
S/29.54 S/29,540.00
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/56.99
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
GaNpx
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
130 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.1 V
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
GaNPX
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Kit de desarrollo: GS665MB-EVB, GS-EVB-ACDC-300W-ON
Frecuencia de trabajo máxima: 10 MHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: GS665xx
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN-on-Si
Tipo de transistor: E-Mode
Alias de las piezas n.º: GS66504B-E01-MR
Peso de la unidad: 14.594 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX®  small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.