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GCMX020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020B120S1-E1
Price: 123.78 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

148-GCMX020B120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMX020B120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/123.78	S/123.78
	S/91.12	S/911.20
	S/90.42	S/10,850.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	113 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	395 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC MOSFET Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	42 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Vf - Tensión directa:	3.7 V

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Atributos seleccionados: 0

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.