GCMS080B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS080B120S1-E1
GCMS080B120S1-E1

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
SemiQ
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET-SiC SBD Modules
COPACK Power Module
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: SemiQ
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 30 A
Dp - Disipación de potencia : 142 W
Conteo de pin: 4
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 77 mOhms
Tiempo de subida: 4 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 16 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

En existencias: 399

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/123.43 S/123.43
S/98.83 S/988.30
S/85.44 S/8,544.00
S/80.93 S/40,465.00
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