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FS1150R08A8P3LMCHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3LMC
Price: 2241.77 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FS1150R08A8P3LMC

Fabricante N.º:

FS1150R08A8P3LMCHPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G2 SI

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

FS1150R08A8P3LMCHPSA1 Hoja de datos (PDF)

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	S/2,241.77	S/2,241.77
	S/1,995.88	S/23,950.56

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Tecnología:	Si
Serie:	G2
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	6
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	HybridPACK
Alias de las piezas n.º:	FS1150R08A8P3LMC SP005908114

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.