FFSP20120A

onsemi
512-FFSP20120A
FFSP20120A

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
20 A
1.2 kV
1.45 V
135 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP20120A
Tube
Marca: onsemi
Dp - Disipación de potencia : 340 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 1.2 kV
Peso de la unidad: 2.160 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

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Silicon Carbide Schottky Diodes

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FFSP SiC Schottky Diodes

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1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

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