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FFSP15120A

Name: onsemi FFSP15120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP15120A
Price: 29.62 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FFSP15120A

Fabricante N.º:

FFSP15120A

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 15A

Hoja de datos:

FFSP15120A Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/29.62	S/29.62
	S/16.08	S/160.80
	S/14.71	S/1,471.00
	S/12.53	S/6,265.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	15 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	115 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSP15120A
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Peso de la unidad:	2.160 g

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PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Schottky Diodes

onsemi Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. SiC Schottky Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost. onsemi offers 650V and 1200V devices in a range of current and package options, ideal for next-generation power system designs.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.