FFSP1065B

onsemi
863-FFSP1065B
FFSP1065B

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE 650V 10A

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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S/6.58 S/3,290.00
S/5.88 S/5,880.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
650 V
1.38 V
45 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP1065B
Tube
Marca: onsemi
Dp - Disipación de potencia : 75 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 650 V
Peso de la unidad: 3.698 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

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FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

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